光芯片的运用潜力巨大，高技能门槛又使得横向拓宽十分不易，使得商场上真实有多方面产品线实践经历和量产才能的团队十分稀缺。
现在，本乡的高端光芯片/光模组工业化尚处于开展阶段，国内能够出产光芯片的企业并像通用微控制器那般多，并且其间大多数只能大批量出产低端的光芯片/光模组，仅有少量厂商能够出产中高端光芯片，并且因为产能有限，商场占比缺乏1%。
光模块为光通讯工业链的下流环节。光模块由光器材、电路芯片、PCB以及结构件构成，其间光器材占光模块本钱的72%。光器材的中心为光收发组件，两者算计占光器材本钱的80%，而在光收发组件中，本钱占比最高的（也是光模块技能壁垒最高的）为光芯片。
而国内企业，大部分仅具有10G及以下中低速激光器才能，25G光芯片源杰半导体（DFB）、索尔思（EML）等具有供货才能，技能瓶颈较高，打破需求时刻堆集。
依据功用的不同，光通讯芯片可分为激光器芯片、探测器芯片等。比方激光器芯片：①VCSEL芯片，适用于短距场景；②边发射激光器芯片包含FP、DFB以及EML芯片，其间FP芯片适用于中短距场景，DFB以及EML芯片（在DFB芯片的根底上添加电吸收调制器）适用于中长距、高速率场景。
探测器芯片分为PIN（二级管探测器：灵敏度相对较低，运用于中短间隔的光通讯传输）和APD（雪崩二级管探测器：灵敏度及接纳间隔更优，本钱高）。
我国光通讯职业在起步阶段，仅完结10G及以下的光通讯芯片的进口代替，但10G以上的高速芯片仍依靠进口。2018年我国10G速率以下光通讯芯片国产率已抵达80%，10G速率的光通讯芯片国产化率挨近50%，而25G及以上高速率光通讯芯片则严峻依靠出口，国产化率仅5%。跟着5G年代到来，商场对25G以上高速率芯片的需求逐步开释，低速芯片逐步商场边缘化。
方针关键：《我国光电子器材工业技能开展道路年）》明确指出各类型芯片级方针和要求，到2020年，中低端芯片国产化率逾越60%，高端芯片国产化率逾越20%。
现阶段，我国大陆光通讯芯片工业外延技能严峻落后，导致我国大陆很多芯片企业流片进展严峻受制于其他地区或国家（我国台湾、新加坡、日本以及美国）。
除外延技能亟待打破，我国光通讯芯片良率亦有待进步。我国10G光通讯芯片的良率仅为70%，构成10G光通讯芯片出产本钱高居不下。25G及以上的光通讯芯片还未构成量产。
从运用范畴看，传感VCSEL芯片现在首要起量于手机3D辨认和人脸付出范畴，在车载激光雷达、车内手势辨认等方向都还待运用推行。大功率EEL，首要是光纤激光器的泵浦源运用，直接半导体激光器在激光熔覆等范畴运用正在逐步得到推行。通讯是个大商场，跟着5G根底设施和数据中心的建造，通讯VCSEL、DFB和EML的国产化会有必定的时机。
光通讯芯片职业处在开展初期，25G系列的高速芯片均未完结出售，2014年至2018年光通讯芯片商场规划年复合添加率仅为16.1%。5G年代的到来是光通讯芯片职业开展的首要驱动力。
人类社会进入数据年代，流量迸发式添加。为处理数据流量暴升问题，作为载体的超大型数据中心在全球开端大规划建造。建造数据中心建造需求很多DFB以及VCSEL芯片完结光电信号的转化，因而大规划建造数据中心亦拉动数据中心运营商对光通讯芯片需求。未来5年光通讯芯片职业享用5G年代与数据流量暴升的盈余，2023年我国光通讯芯片商场估计添加至33.9亿美元，年复合添加率为21.3%。
光通讯工业链环节很多，工艺流程较为杂乱，包含芯片规划、基板制作、磊晶成长、晶粒制作四个环节。
GaAs/InP 资料经提纯、拉晶、切开、抛光、研磨制成单晶体衬底即基板；
依据规划图，用基板和有机金属气体在MOCVD(金属有机物化学气相堆积）/MBE（分子束外延）设备里长晶，制成外延片（Wafer）；
从运作形式上看，存在笔直一体化厂商（IDM）、第三方代工厂（Foundry）。IDM担任从芯片规划到晶粒制作的全工业链制作，乃至延伸至下流的光器材与光模块制备环节。因为光芯片工艺杂乱，客户需求多样，产品线难以标准化，加之职业规划有限，现在逾越50%的光芯片的磊晶和晶圆制作都由Finisar、Lumentum 和Avago 等IDM把控。
以联亚光电为代表的专业光芯片磊晶厂，以及以IQE为代表的射频器材和光芯片磊晶双主业厂商为Foundry形式。未来，以VCSEL芯片为例，消费电子商场规划大且客户集体对本钱灵敏性高，有望进一步驱动第三方代工厂商的规划化出产。
光通讯芯片企业选用高频功能杰出的GaAs以及InP化合物半导体为光通讯芯片的衬底。GaAs以及InP可被制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻资料，用来制作衬底具有高频、高低温功能好、噪声小、抗辐射才能强等长处，契合5G通讯高频的特色，因而在光通讯芯片范畴得到重要运用。
光通讯芯片出产过程中所用到的设备包含光刻机、刻蚀机以及外延设备等。我国半导体设备工业单薄，高端设备根本被世界巨子把控。例如，全球光刻机商场排名前三的企业（荷兰ASML、日本Nikon以及日本Canon）算计占有75%的比例。世界巨子美国泛林集团、日本东京电子、美国运用资料共占有了全球刻蚀机商场80%以上的比例。
（3）工业链下流-【光模块厂商及终端客户】详见“光模块职业浅析及出资逻辑剖析”。
前身包含成都飞博创以及我国台湾的LuminentOIC，光芯片厂商嘉信光电。选用IDM形式，在美国加州、我国台湾新竹、成都和江苏常州建有产品研制与出产基地，逐步构成了从光芯片、OSA、光模块的全体研制与制作。聚集10G-53Gbd EML/FP/APD/PD，10G-25G DFB。最具优势产品25G EML光芯片已完结出货。华西股份及旗下一村本钱自2019年1月继续向索尔思出资，截止现在完结直接持有索尔思光电股权54.68%。依据揭露资料，索尔思的激光器芯片2019年产能传送端1100万只/接纳端1400万只，OSA组件年产能抵达1300万只，光模块的年产能抵达1100万只。2019年主营业务收入1.63 亿美元，净利润-1.53亿美元，客户为亚马逊、苹果、Juniper、华为、Cisco、中兴等。
公司由国内闻名出资组织和技能团队一起兴办，聚集了光通讯芯片很多本乡优异人才，拥稀有条从MOCVD外延成长、芯片出产、自动测验的出产线G速率自主知识产权DFB芯片，2019年Q4 25G芯片上量，2020年全面向10G、25G过渡，估计本年完结近1亿元规划。近年来收入多来自于接入网范畴，未来拓宽数据中心、5G商用。取得国内最大的光模块厂商中际旭创认可，芯片经过国内头部网络设备供给商华为等供货商资历认证。别的，公司与Sicoya、博创科技树立合资公司布局硅光模块，别离供给激光器芯片、硅光芯片、封装集成才能。依据揭露资料及近期完结的新一轮融资，现在有金石出资、中关村瞪羚出资、博创科技、中际旭创、广发证券、中信证券、陕西先导光电集成、上海逾越摩尔等参加出资。
中科光芯树立于2011年，总出资近2亿元。公司由我国工程院“特聘专家”苏辉博士创建（具有20多年半导体激光器研制及光电子集成制程渠道经历），我国科学院福建物质结构研究所、福建省华兴创业出资有限公司、上市公司跃岭股份（002725）参加出资。公司现有产品掩盖InP基各类速率光芯片外延片、芯片、OSA器材、光模块。中科光芯在福州、石狮、武汉和深圳均建有研制中心、出产线万颗光芯片及器材，产品得到了国内干流通讯厂商的认可。现在EPON产品为干流商场，未来扩张GPON产品以及用于4G、5G基站建造配套的10G、25G激光器芯片及器材。其5G基站用25G 1310nm DFB直调激光器于2019年发布。
创始人张华，接连创业者。深圳市迅特通讯技能有限公司创始人，坚持我国电信运营商光模块直采商场近三年继续榜首比例；深圳加华微捷科技有限公司联合创始人，干流高速率光模块微衔接器材供货商，2018年被光库科技并购。敏芯半导体为创始人2017年创建，主营业务为2.5G/10G/25G全系列激光器和探测器光芯片及封装类产品。敏芯半导体10G以下DFB芯片已于2019年Q2、Q3转产。2019年12月发布支撑中移动创始的MWDM半有源5G前传计划的25G DFB激光器系列。2020年7月份发布支撑我国电信主导25Gb/s LWDM 5G前传处理计划的DFB激光器系列芯片，该产品可运用于5G前传LWDM彩光光模块以及数据中心100G LR4 10Km光模块。规划中的其它产品有25G EML、25G VCSEL、25G APD。据揭露资料，2019年8月完结A轮融资1亿元，恒信华业基金独家出资，没有工商改变。
全球少量几家自主研制并具有量产高功率半导体激光芯片才能的公司，产品广泛运用于工业激光器泵浦、激光先进制作配备、高速光通讯等范畴。首要股东为业界威望长春光机所、国投创业、中科院创投等闻名组织。公司董事长闵大勇曾任华工科技总裁。公司具有半导体激光芯片的自主研制才能，为国内光纤激光器龙头企业锐科激光的首要芯片供货商之一，并招引了华日激光、贝林激光、英谷激光、卓镭激光、长春新工业等客户。以手机人脸辨认为代表的3D传感鼓起，VCSEL激光芯片是3D传感技能的中心部件，商场空间宽广。公司现在已树立全工艺国产化的VCSEL芯片量产线：纵慧芯光（消费类VCSEL光芯片）
创新式的光电半导体高科技公司，2015年11月树立，总部坐落江苏常州，在美国、台湾都树立了全资子公司。由多位美国斯坦福大学博士创建。公司VCSEL供应链触及芯片规划、砷化镓衬底、外延制备、芯片制作和封测等环节，产品广泛运用在3D感知、AR/VR、自动驾驶等范畴。现在为止全球可完结VCSEL量产的仅五家厂商，纵慧芯光是我国榜首家具有自主知识产权的VCSEL芯片公司。取得一村本钱数千万元入股、欧菲科技、高榕本钱、华为哈勃等出资，立志于完结VSCEL国产化。
激光器芯片选用III-V族资料（InP以及GaAs）作为衬底，InP以及GaAs归于稀有资料，价格昂贵，导致光通讯芯片企业难以经过大规划量产芯片削减本钱。硅光芯片选用分立贴装或晶圆键合加工将III-V族激光器芯片与硅光集成电路调制器、光耦合器等加工在一起。硅光芯片运用现有CMOS工艺进行光器材的开发和集成，结合了集成电路技能的超大规划、超高精度制作的特性和光子技能超高速率、超低功耗的优势。现在的技能和工艺上看，100G短间隔光模块中，硅光技能具有必定本钱优势。传统100G光模块计划中，光模块求需用4块25G激光器芯片别离调制4路信号以完结100G传输速率。引进硅光技能后，因为调制器和无源光路可高度集成，光模块企业仅需1块25G激光器芯片，经过集成的调制器和波导完结4路独立信号的调制和传输，然后抵达大幅节省芯片本钱的意图。
硅光芯片传输间隔相对受限。硅光芯片功率被分为4路，导致光路功率预算缺乏，单纯添加激光器功率会导致功耗和散热问题（硅波导对温度十分灵敏），因而硅光芯片现在仅在500米短间隔场景运用相对老练。Finisar、Luxtera、以及光迅等光通讯公司均已投入硅光芯片，研制更远传输间隔的硅光芯片。光通讯芯片企业布局硅光芯片已成为一种趋势。
现阶段，光通讯芯片首要运用于电信商场以及数据中心范畴。光通讯芯片运用单一导致商场规划较小，企业的开展空间受限。为扩展光通讯芯片商场的容量，未来光通讯芯片企业会活跃扩大芯片运用范畴。
传统的VCSEL光通讯芯片首要运用在数据中心，跟着3D传感的迸发，VCSEL芯片进入消费电子范畴。iPhoneX手机首要运用根据结构光计划的3D传感技能，敞开VCSEL芯片在消费电子运用新年代。移动端3D传感有三种干流的计划：结构光、TOF时刻光、双目立体成像。结构光计划开展最为老练，因其具有功耗低、分辨率及精度高级优势，更合适消费电子产品前置近间隔摄像，特别合适运用于人脸辨认、手势辨认等范畴。结构光计划作业原理是红外激光发射器（IRLD）发射出的近红外光（IR Light）经过人体的反射后抵达红外图画传感器（IR CIS）获取人置信息，一起可见光图画传感器（Vis CIS）获取人体的二维信息，完结三维空间定位。近红外光源首要有VCSEL、LED和EEL三种计划，VCSEL以其高效的光电转化、低功耗、高牢靠性、呼应速度快等特性成为结构光计划中近红外光源的最佳挑选。
2019年全球商场，运用于智能手机的VCSEL芯片将达2.4亿块，是VCSEL芯片在通讯运用范畴需求量的五倍，因而VCSEL芯片成为光通讯芯片职业新的盈余点。
光讯波长850nmVCSEL芯片（运用于通讯范畴）的工艺已趋近老练，为研制运用于3D传感场景中用到的940nmVCSEL奠定了根底。我国其他光通讯芯片企业在VCSEL芯片范畴比较单薄，跟着消费电子对VCSEL芯片的需求迸发，未来会有更多的光通讯芯片企业根据现有的产线进行改造进军VCSEL芯片。
因为光芯片在我国起步较晚，近五年左右才开端连续有一批优异的海归人才 回国创建光芯片公司。对光芯片的出资，我们根本是参照集成电路出资的经历，探索前行。但光芯片的出资与集成电路出资有较显着的不同。
现在商场上光芯片运用场景包含：运用于消费电子的传感VCSEL；运用于通讯的VCSEL、DFB、EML、硅光芯片、铌酸锂薄膜芯片等；运用于工业加工或泵浦的大功率EEL、HCSEL。对这些细分范畴来说，每个运用场景商场空间都相对有限，很难找到像集成电路中模仿或存储芯片那么大的商场空间。
这些芯片的规划和制作都有极高的门槛，彼此跨过存在很大应战，且各自的工艺难点不同，需求的中心技能人员、关键设备也存在很大差异。首要不同的运用范畴所需光芯片规划、工艺存在巨大差异（如不同运用场景选用不同光芯片）。其二，同一运用范畴不同传输间隔芯片存在工艺差异（比方运用于通讯范畴的VCSEL、DFB、EML激光器芯片）。其三，同一芯片在不同运用范畴也存在不一样的技能应战（比方VCSEL光芯片运用在通讯范畴VS传感范畴）。对大部分草创公司而言，中短期内很难在多个方向横向拓宽。
光芯片对工艺的高度依靠和上游代工的非标准化，是与集成电路规划最大的不同。商场上虽然有IQE、联亚、全新等外延厂商，也有稳懋、宏捷等晶圆代工的供货商，但因为光芯片本身结构多样且杂乱，制作工艺的know-how十分多，且对工艺的要求侧重点也各不相同，然后导致各类产品在制作形式上的巨大差异。对创业公司而言，挑选委外代工、联合开发仍是自建产线，途径不同，差异显着。
因而并不是一切企业都需求自建产线，有必要去建MOCVD外延环节，也不是外延、光刻挑选代工形式就代表技能含量不高级等，需求结合产品的作业原理、规划关键、工艺瓶颈统筹剖析。
牢靠性应战高，牢靠性瓶颈与芯片结构强相关，下流客户成为产品打磨并终究推向商场至关重要的一种资源
怎么进步光芯片的牢靠性是极大的应战，这种应战不只来自于规划和工艺方面，更多来自于下流大客户的重复验证、不断改进和快速迭代。这对草创公司来说又是一个悖论，下流大客户本身就比较难承受一个草创公司在一些牢靠性要求极高的运用场景中去替换中心光芯片，能有一两次送样测验时机现已难能可贵，呈现几回牢靠性问题毛病，则会让下流客户直接对草创公司损失决心。
光模块均匀3-4年完结一次产品迭代，光通讯芯片需求跟进光模块更新晋级的速度，即在3-4年内完结更高速率光通讯芯片的量产。因为光通讯芯片技能门槛极高，企业研制团队能否在3-4年内打破新技能具有极大不确定性，易呈现芯片失效或许本身芯片技能迭代未跟上客户需求的景象。
别的，从产品规划上来讲，光模块完结更高速率有三条途径，一是进步光源速率，二是进步通道数，三是高阶调制。进步光源速率面临着III-V族半导体激光器功能瓶颈，即由25G速率光芯片提高至50G速率难度较大，或许存在物理极限，现在Oclaro、AAOI推出的50G光源处理计划均为外调制的EML。进步并行通道数面临着体积、功耗、散热等规划封装难点，并且添加了客户的光纤资源本钱。
现在首要经过高阶调制完结更高速率，即经过电调理。高阶调制首要有PAM4和相干调制两种，PAM4是现在传统计划下最常用的办法，调制速率提高2倍，有不同的计划完结PAM4调制（比方DSP+PAM4，CDR+PAM4等），提高速率的一起完结信号康复，可重视此类公司（如飞昂通讯、上海橙科微电子等）。
世界大型光通讯芯片企业操纵逾越90%高速芯片商场比例，该类世界一流企业经过整合职业资源不断加强本身商场位置，导致我国光通讯芯片企业的生存环境逐步被这类大厂蚕食。并且我国光通讯芯片企业开展空间不大，其职业商场规划量级仅百亿人民币，比较其他类型芯片商场规划显着稍小；加之每一款产品进入下流客户供货商名单至少需求半年至一年认证周期，而一旦进入，后期比例呈现变化的或许性不大，认证周期长，先发优势重要。