2020-12-26·答题姿态总跟他人不同知道答主答复量：5采用率：0%协助的人：400重视
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器材, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的长处。
GTR饱满压下降，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT归纳了以上两种器材的长处，驱动功率小而饱满压下降。十分合适使用于直流电压为600V及以上的变流体系如沟通电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。
IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，首要差异是IGBT添加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技能没有添加这个部分)。其间一个MOSFET驱动两个双极器材。基片的使用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。
当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道构成，一起呈现一个电子流，并彻底依照功率 MOSFET的方法发生一股电流。最终的结果是，在半导体层次内暂时呈现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)； 一个空穴电流(双极)。
2020-12-29·答题姿态总跟他人不同知道答主答复量：0采用率：0%协助的人：0重视
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器材, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的长处。GTR饱满压下降，载流密度大，但驱动电流较大。
MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT归纳了以上两种器材的长处，驱动功率小而饱满压下降。十分合适使用于直流电压为600V及以上的变流体系如沟通电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。
IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）经过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接使用于变频器、UPS不间断电源等设备上。
IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路发生。当挑选这些驱动电路时，有必要根据以下的参数来进行：器材关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的状况。
由于IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可运用MOSFET驱动技能进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路供给的偏压更高。
IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。由于MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以敏捷消除，形成漏极电流较长的尾部时刻，td(off)为关断延迟时刻，trv为电压Uds(f)的上升时刻。实践使用中常常给出的漏极电流的下降时刻Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时刻。
2020-11-24·TA取得超越3.9万个赞知道大有可为答主答复量：25.3万采用率：91%协助的人：1857万重视
2014-01-13知道答主答复量：14采用率：0%协助的人：5万重视场效应管,一般使用于大电流操控场合已赞过已踩过你对这个答复的点评是？谈论收起hzyhegh
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器材, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的长处。GTR饱满压下降，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT归纳了以上两种器材的长处，驱动功率小而饱满压下降。十分合适使用于直流电压为600V及以上的变流体系如沟通电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。