西安电子科技大学微电子学院郝跃研讨团队在《新式光学资料》上宣布研讨成果，提醒了可剥离衬底上氮化物的成核机制，并立异性开宣布柔性高亮度紫光发光二极管。
GaN基半导体LED照明具有高效、节能、环保、寿命长、易保护等长处，是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明革新。跟着可穿戴技能的开展，未来柔性半导体技能将逐渐成为干流，柔性GaN 的制备成为当今世界高度重视的研讨热门。可是，激光能量密度散布不均匀使得氮化镓薄膜突起决裂，很难得到大面积接连无损的氮化镓薄膜，使得GaN的柔性器材开展遭到严峻阻止。为此，低应力、高质量的GaN薄膜的制备关于LED功能的提高显得尤为重要。
据介绍，郝跃团队研讨并发现了氮化物在石墨烯上的选择性成核机理，找到了AlN的最佳成核位点，成功制备出高质量、无应力的GaN外延层；并经过优化剥离工艺，完成了GaN外延层的低损害、大面积剥离搬运。根据该柔性GaN资料制备的紫光发光二极管在小电流下完成了超高光输出功率。一起，这一研讨成果证明了剥离搬运能够完成GaN基柔性照明以及LED在未来完成高质量笔直结构的可能性。