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二十一世纪以来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表的第三代半导体资料开端初露头角。
第三代半导体资料具有更宽的禁带宽度、更高的导热墓记和率、更高的抗辐射才能、更大的电子饱满漂移速率等特性。
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