据外媒报导，今日，沉寂已久的核算技能界迎来了一个大新闻。劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有最精尖的制程从14nm减缩到了1nm。晶体管的制程巨细一直是核算技能进步的硬指标。晶体管越小，相同体积的
多年以来，技能的开展都在遵从摩尔定律，即当价格不变时，集成电路上可包容的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，功能也将提高一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑功能，将每隔18-24个月翻一倍以上。眼下，个人会运用的干流芯片制程为14nm，而下一年，整个业界就将开端向10nm制程开展。
不过放眼未来，摩尔定律开端有些失灵了，由于从芯片的制造来看，7nm便是物理极限。一旦晶体管巨细低于这一数字，它们在物理形状上就会十分会集，以至于发生量子隧穿效应，为芯片制造带来十分大应战。因而，业界共同以为，想处理这一问题就必须打破现有的逻辑门电路饱满，让电子能继续在各个逻辑门之间络绎。
此前，英特尔等芯片巨子表明它们将寻觅能代替硅的新质料来制造7nm晶体管，现在劳伦斯伯克利国家实验室走在了前面，它们的1nm晶体管由纳米碳管和二硫化钼（MoS2）制造而成。MoS2将担起本来半导体的责任，而纳米碳管则担任操控逻辑门中电子的流向。
眼下，这一研讨还停留在初级阶段，毕竟在14nm的制程下，一个模具上就有超越10亿个晶体管，而要将晶体管缩小到1nm，大规模量产的困难有些过于巨大。
不过，这一研讨仍然有很重要的指导意义，新材料的发现未来将极大的提高电脑的核算才能。
据白宫官网报导，美国东部时刻22日，2015年美国最高科技奖获奖名单发布，包含9名国家科学奖获得者（National Medal of Science）和8名国家技能和创新奖（National Medal ofTechnology and Innovation）获得者。其间美籍华人科学家胡正明荣获年度国家技能和创新奖。
胡正明教授是鳍式场效晶体管（FinFET）的创造者，现在三星、台积电能做到14nm/16nm都依靠这项技能。他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在***长大，后来考入加州大学伯克利分校。
在华为海思麒麟950的发布会上，胡正明教授曾现身VCR，据他介绍，FinFET的两个打破，一是把晶体做薄后处理了漏电问题，二是向上开展，晶片内构从水平变成笔直。
胡以为，FinFET的真实影响是打破了本来英特尔对全世界宣告的将来半导体的约束，这项技能现在仍看不到极限。
2010年后，Bulk CMOS工艺技能在20nm走到止境，胡教授的FinFET和FD-SOI工艺创造得以使摩尔定律在今日连续传奇。