4月26日，鄂州市发改委官网发布，全球首个大规模微发光二极管（Mini/Micro LED）芯片项目落户鄂州葛店经济开发区，总出资120亿元。
微发光二极管体积是现在干流LED的1%，其优势在于既有高亮度、高牢靠度及反应时间快等特色，又有自发光特性，易完成节能效果。据介绍，该项目占地700亩，由三安光电股份有限公司出资建造，并将得到国家集成电路工业大基金和湖北省长江工业基金的支撑，项目建造周期3.5年，一期工程2年内投产。
三安光电葛店基地项目建成达产后，将构成年产MiniLED芯片210万片、MicroLED芯片26万片的研制制作才能，产品首要供给三星、华为、苹果等全球闻名公司。
现在，鄂州市正和谐各有关部门做好服务作业，保证三安光电葛店基地项目赶快投产达效。中电时空信息技能研究院有关专家表明，该项目是全球首个大规模根据第三代半导体、代表新式显现工业方向的光电芯片项目，对推进湖北甚至国家光电信息工业开展具有重要意义。
4月24日，全球闻名的光电芯片研制企业三安光电公司出资120亿元的Mini/MicroLED芯片研制制作项目成功落户湖北省鄂州市葛店国家级开发区，这是湖北省施行“一芯两带三区”战略、推进工业之“芯”开展的严重成果。
鄂州市委、市政府为推进高质量开展，瞄准十大要点工业，使用省政府举行、省发改委承办的“百家上市公司进湖北”活动渠道，活跃对接国内最大的LDE芯片龙头企业厦门三安集团，通过短时间的密布盯梢联接和活跃争夺，在省委省政府、国家集成电路工业大基金、省发改委和长江工业基金的大力支撑下，于2019年4月24日与三安集团和三安光电股份公司正式签定Mini/MicroLED芯片项目出资合同。该项目是全球首个大规模根据第三代半导体、代表新式显现工业方向的光电芯片项目，项目成功落户我市葛店开发区，标志着鄂州市在这个百亿级光电信息工业项意图带领下，将步入“心中之芯”的开展轨迹。
该项目总出资约120亿元，占地700亩，项目建成达产后，构成年产MiniLED芯片210万片、Micro LED芯片26万片的研制制作才能。项目建造期3年左右，一期工程2年内投产。
该项目代表全球新一代显现技能的开展方向，高度符合我省“一芯两带三区”和我市“三城一化”战略需求，是湖北建造“光谷科技立异大走廊”的重要支撑性项目，对建立新一代半导体全球领先地位具有重要意义。该项意图建造将带来光电芯片、新一代功率器材、射频芯片和滤波器、Micro显现屏及其上下游工业链入驻集合，彻底改变鄂州冶金建材为主体的传统工业结构，为推进鄂州工业高质量开展奠定坚实基础。一起，该项意图入驻，将使鄂州市成为国家重要的第三代半导体工业基地，对推进湖北甚至国家光电信息工业开展，具有引领效果。
下一步，市发改委将协同相关单位，全力做好项现在期服务作业，保证该项目第三季度全面开工建造，赶快完成达产达效。一起，活跃依托该项目作为“大国重器”上升为省和国家战略，争夺将此项目申报进入国家“十四五”规划光电信息工业严重生产力布局项目，成为国家级第三代半导体基地，将为新一代光电信息工业链集合鄂州，营建杰出的方针环境。