相比硅半导体具有高频率和大功率等优异性能，是未来无法替代的核心技术。中国是全球最大的移动通信市场，最快将在2019年实现5G通信商用，有望依托市场新机遇提升化合物半导体产业竞争力。国内化合物半导体和5G通信芯片发展正面临难得的窗口期，机遇与挑战并存。
为更好的促进行业交流，为国内优秀的化合物半导体和5G通信芯片公司可以提供与地方政府、投资公司、技术专家进行资源对接的平台，中国产业发展研究院将在2018中国集成电路产业促进大会期间组织举办5G通信芯片主题论坛，邀请包括Qorvo在内的众多国家级投资机构、上下游企业和技术专家一起，从政策、投资、技术、产业等多个层面一同探讨我国5G通信芯片的发展路径，重庆的小伙伴们来约一约？
中国电子信息产业高质量发展研究院于11月9日将在南坪国际会展中心组织召开2018中国集成电路产业促进大会（中国芯大会）。该会议已连续举办12届，是国内集成电路领域最具影响力和权威性的行业会议之一，是国内集成电路产品创新和应用创新的大检阅和风向标。本届会议以“芯时代、芯作为”为主题，围绕树立“中国芯”企业新形象展开交流。
5G智能手机将大量使用GaAs射频器件。随着移动通信频率逐步的提升，Si器件已不能够满足性能要求，中的功率放大器已全部采用GaAs技术。5G通信支持的通信频段将大幅度的增加至50个以上，远大于4G通信的频段数（不超过20个）。为保证通信质量，要增加放大器数量或提高器件集成度。赛迪智库预计，2020年GaAs器件市场将达到100亿美元。
5G通信基站亟需更高性能的GaN射频器件。GaN射频功率放大器兼具Si器件的大功率和GaAs器件的高频率特性。为了应对2.4 GHz以上频段Si器件工作效率不高的问题，4G通信基站开始使用GaN功率放大器。目前约10%的基站采用GaN技术。全球每年新建约150万座基站，未来5G网络还将补充覆盖区域更小、分布更加密集的微基站。赛迪智库预计2020年GaN射频器件市场将超过6亿美元。
发达国家已完成化合物半导体的战略布局。美国和欧洲在21世纪初开始组织技术和产业扶持工程，培育了一批有突出贡献的公司，已占领技术和市场的高地。美国国防部DARPA从2002年起发布宽禁带化合物半导体技术创新计划（WBGSTI）和下一代GaN电子器件计划（NEXT），助力Qorvo等化合物半导体企业迅速成长为行业龙头。
制造成熟度方面，Qorvo公司自2008年至今已出货超过260万件GaN器件产品，其中17万件应用于雷达领域。Qorvo的GaN产品已分别达到美国国防部的制造成熟度评估（MRL）第9级。
、光电应用以及新能源汽车等产业中有着无法替代的地位。多年以来，世界各国始终对
保持格外的重视，出台有关政策支持本国产业的发展，2017年美国、德国、欧盟
联网时代的来临，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的
不可替代的核心技术。美欧日等发达国家通过产业和技术扶持计划，培育了众多有突出贡献的公司，已占领
技术和市场高地。同时美国以危害国家安全为由，对我国实行技术封锁，频频阻挠
材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作为第二代和第三代
中心（Compound Semiconductor Centre,简称CSC）成立于2015年，是由英国IQE公司和加的夫大学共同成立的合作机构，任务是加速
集群 /
可以发射和检测光。磷化铟就是一个很好的例子，他们成功开拓了医学成像和诊断，光纤
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