中国继“量子芯片”量产后，在氮化镓芯片技术上又一个重大突破。目前，中国氮化镓芯片制造技术已全面打破美日垄断，跻身全球第三。
中国继“量子芯片”量产后，在氮化镓芯片技术上又一个重大突破。目前，中国氮化镓芯片制造技术已全面打破美日垄断，跻身全球第三。2020年9月，全球最大氮化镓芯片工厂在苏州建成投产。2022年2月，中科46 所成功制备出我国首颗 6 英寸氧化镓芯片，达到国际最高水平。目前，国内的快速充电器普遍用上了氮化镓芯片。
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氮化镓被称作第三代半导体，是当今世界上最具潜力的半导体材料之一，并被预言将会在不久的未来改变世界。
★2005年12月，德国半导体公司Infineon生产出世界上第一颗氮化镓芯片。
★2008年8月，美国科锐公司（Cree）生产出世界上第一个商业化的氮化镓芯片。
★2017年11月，英诺赛科(珠海)科技有限公司自主研发的中国首条8英寸硅基氮化镓生产线月，中国首条氮化镓激光器芯片生产线在广西投产。
该氮化镓激光器目前覆盖近紫外（375 nm）至绿光（532 nm）的波长范围，相比于传统半导体激光器，氮化镓激光器具有光谱范围广、热调制频率高、稳定性高等优势，在照明、显示、金属加工、国防、航天航空、量子通信等领域有广泛用途。
该技术来自北京大学研发团队20多年的刻苦攻关，在数十项国家级和省部级科研项目的全力支持下，攻克了氮化镓半导体激光器相关的主要科学和技术问题，建立了芯片制备技术中的8大核心工艺，打破国外企业长期的技术垄断，有力实现“弯道超车”。
2021年，发展第三代半导体写入国家“十四五”规划、列为国家战略，作为第三代半导体中最有代表性的氮化镓材料，被广泛地应用于激光显示、电动汽车、5G通讯、航空航天、雷达等重要领域。
目前，全球氮化镓芯片生产大多分布在在中国、美国、日本、韩国、德国等国。其中，中国的氮化镓芯片生产企业快速崛起，在全球市场上份量越来越重。
目前，全球氮化镓半导体芯片专利申请的第一大技术来源国是日本，占比高达33.22%。其次是中国，占比为28.10%。美国专利申请量排名第三，占比为20.63%。
中国在2013—2021年期间长期处在氮化镓专利申请数量的领头羊，且优势较为明显。
第一名：日本住友，市场占有率超过40%；第二名：美国Cree，市场占有率15%；第三名：德国英飞凌，市场占有率10%；第四名：韩国LG，市场占有率6%；第五名：三星，市场占有率为4%。中国领先的有：华润微、三安光电、士兰微和闻泰科技等。
单晶硅芯片是目前最成熟、最广泛应用的芯片之一，具有低功耗、高稳定性和低成本等优势。
氮化镓芯片则因其高频率、高效率和高功率密度等优点而非常关注，尤其在快充、射频功率放大、太阳能电池板等领域存在广泛的应用前景。
因此，氮化镓芯片和单晶硅芯片都有各自的优势和应用场景，并不会互相取代。在未来的发展中，两者有望相互补充，一同推动半导体芯片技术的发展。
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